Ученые ННГУ вместе с другими физиками создали основу для альтернативной электроники

Разработанные структуры позволят увеличить скорость работы микропроцессоров и объем памяти жестких дисков.Фото: проесс-служба СГУ им. Н.Г. Чернышевского Физики ННГУ им. Н.И. Лобачевского совместно с коллегами из СГУ им. Н.Г. Чернышевского, Фрязинского филиала ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН и ИФМ РАН создали тонкие многослойные пленки, которые могут стать основой для альтернативной электроники.Проект направлен на разработку технологии получения и исследование свойств многослойных тонкоплёночных структур ферромагнетик/тяжелый металл (Ф/ТМ, где Ф = Co, ТМ = Pt, Pd) с отсутствием четких границ...