Китайский производитель микросхем памяти CXMT добился значительного прогресса в повышении производительности производства микросхем памяти DDR5. Согласно недавнему анализу Citigroup, уровень выхода DDR5 в CXMT достиг примерно 80 %, что является значительным улучшением по сравнению с первоначальным уровнем в 50 % на момент начала производства.
Этот прогресс основывается на опыте CXMT в производстве DDR4, где компания добилась выхода около 90 %. В настоящее время компания располагает двумя фабриками в Хэфэе. Фабрика 1 предназначена для производства DDR4 по техпроцессу 19 нм и имеет производительность 100 000 пластин в месяц. Фабрика 2 специализируется на производстве DDR5 по технологии 17 нм, ее текущая производительность составляет 50 000 пластин в месяц.
Ожидается, что к концу 2025 года производительность производства DDR5 в CXMT еще более возрастет и составит около 90 %. Это свидетельствует об усилиях компании по расширению возможностей производства микросхем памяти.
Несмотря на эти улучшения, CXMT сталкивается с технологическими проблемами. Текущий производственный процесс компании, составляющий 19 нм для DDR4 и 17 нм для DDR5, отстает от таких конкурентов, как Samsung и SK Hynix, которые производят 12 нм чипы DDR5. Это технологическое отставание приводит к более высокому энергопотреблению и менее благоприятным форм-факторам для продуктов CXMT.
CXMT в первую очередь ориентируется на китайских OEM-производителей смартфонов и компьютеров. В перспективе компания планирует расширить свои возможности по выпуску DDR5 и HBM (High-Bandwidth Memory) с потенциальной дополнительной мощностью 50 000 пластин в месяц на Fab 2 в 2025 году, при условии благоприятных рыночных условий.
Компания также продвигается в разработке HBM2, в настоящее время идет отбор образцов для заказчиков, а начало мелкосерийного производства ожидается в середине 2025 года.