Корпорация Kioxia, ведущий мировой производитель памяти, объявила о разработке новой технологии DRAM, известной как OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM), что стало значительным прорывом в области решений для памяти. Это достижение, достигнутое в сотрудничестве с компанией Nanya Technology, призвано революционизировать энергоэффективность устройств DRAM.
OCTRAM — это новый тип 4F2 DRAM, в котором используется оксидно-полупроводниковый транзистор с замечательными свойствами. Транзистор обладает высоким током включения, превышающим 15 мкА/ячейку (1,5 x 10-5 А/ячейку), в сочетании с исключительно низким током выключения — менее 1 аА/ячейку (1,0 x 10-18 А/ячейку). Ожидается, что такое сочетание высокой производительности и сверхнизкого уровня утечки приведет к значительному снижению энергопотребления, что делает OCTRAM привлекательным решением для широкого спектра приложений, включая искусственный интеллект, системы связи после 5G и продукты IoT.
Ключевая инновация OCTRAM заключается в использовании вертикального транзистора InGaZnO (индий, галлий, цинк, кислород) цилиндрической формы в качестве транзистора ячейки. Такая конструкция позволяет адаптировать архитектуру 4F2 DRAM, которая дает существенные преимущества в плотности памяти по сравнению с традиционной кремниевой 6F2 DRAM.
В структуре OCTRAM вертикальный транзистор InGaZnO интегрирован поверх конденсатора с высоким аспектным отношением, при этом используется процесс «конденсатор — первый». Такая схема устраняет взаимодействие между передовым процессом изготовления конденсатора и производительностью транзистора InGaZnO, что еще больше оптимизирует общую эффективность технологии DRAM.
Впервые о разработке OCTRAM было объявлено на Международной встрече по электронным устройствам IEEE (IEDM), состоявшейся 9 декабря 2024 года в Сан-Франциско (Калифорния). Это достижение стало результатом совместных усилий Kioxia Corporation и Nanya Technology, двух лидеров в секторе решений для памяти.