Ученые улучшили память транзисторов

AFM: создан новый транзистор, способный запоминать заряд Johns Hopkins University Исследователи из Университета Джонса Хопкинса модифицировали материалы, которые используются в органических транзисторах, и создали новый тип устройства — мемристор. Он способен запоминать количество накапливаемого при прохождении тока заряда и изменять свое поведение. Работа опубликована в журнале Advanced Functional Materials (AFM) . Ученые добавили в транзисторы вещество под названием дибензо тетратиафульвален. Оно образовывало кристаллы в изолирующем слое транзистора, где, как предполагали исследователи,...