Компания SK Hynix объявила о начале массового производства 321-слойную
флеш-память. Произойти это должно в первой половине 2025 года.
В пресс-релизе компания пояснила, что для выпуска 321-слойной памяти будет использован процесс «3 соединения». Технология известна своей превосходной эффективностью за счёт «электической связи тремя соединениями при оптимизированном процессе производства после завершения трёхкратного процесса соединения». «Для процесса SK Hynix разработала малонагруженные материалы, представив технологию, которая автоматически корректирует выравнивание среди соединений».
Компания применила для 321-слойной памяти
ту же платформу, что и для прошлой 238-слойной памяти, а выход годного увеличился на 59%. Переход на 321-слойную память позволил увеличить скорость передачи данных на 12%, а чтения — на 13%. Энергоэффективность выросла на 10%.
Что касается конкурентов, то Samsung имеет 280-слойные чипы и готовится выпускать 300 и даже 400-слойные. Micron, YMTC и Kioxia пока отстают, предлагая 232 и 218-слойные чипы.