Внедрение разработанных технологий и организация опытно-промышленных производств разрабатываемых материалов позволит снизить импортную зависимость предприятий российской радиоэлектронной промышленности и обеспечить создание отечественных изделий электронной компонентной базы
Минпрмоторг заказал разработку технологий изготовления и организацию опытно-промышленного производства материалов для производства российских лазеров, необходимых для создания чипов. На работы выделен 1,1 млрд руб.
Речь идет о квантоворазмерных гетероэпитаксиальных структурах на базе отечественных кристаллов и подложек арсенида галлия (GaAs) для диодных лазеров, следует из тендера, опубликованного 18 ноября 2024 г.
Разрабатываемые материалы предназначены для использования при производстве лазерных полупроводниковых диодов для систем накачки мощных лазеров, оборудования для лазерной обработки металлов, в том числе аддитивного производства (3D-печать), лазерной медицинской техники, следует из техзадания. Это основа для лазеров с длиной волны в диапазоне 0,75-0,99 мкм.
Внедрение разработанных технологий и организация опытно-промышленных производств разрабатываемых материалов позволит снизить импортную зависимость предприятий российской радиоэлектронной промышленности и обеспечить создание отечественных изделий электронной компонентной базы (ЭКБ), радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) современного уровня, отмечается в техзадании.
Источник: CNews