Компания Samsung торжественно отметила установку первого оборудования в новом комплексе исследований и разработок полупроводников (NRD-K) в кампусе Гихын. Этот проект стоимостью около 14,4 миллиарда евро будут расширять после 2030 года. Samsung планирует использовать комплекс для ускорения разработки памяти, систем LSI и производства полупроводников Foundry.
Комплекс занимает площадь 109 000 квадратных метров, что примерно соответствует 15 футбольным полям. Здесь также построят производственную линию, специально предназначенную для исследований и разработок, которая начнёт работу в середине 2025 года.
В NRD-K применят новейшие установки для экстремальной ультрафиолетовой литографии с высокой апертурой (High-NA EUV). С их помощью Samsung планирует ускорить разработку полупроводниковой памяти следующего поколения, такой как 3D DRAM и V-NAND с более чем 1 000 слоями. Кроме того, компания создаст инфраструктуру для соединения пластин между собой (wafer bonding).
В последние годы Samsung уступает конкурентам, особенно TSMC, в некоторых областях. Производство полупроводников идёт не по плану, и high-end чипы заказывают в основном у конкурентов. Очевидно, причиной этого стали серьёзные проблемы с производством по техпроцессу 3 нм и переходом на транзисторы GAA.
Кроме того, у Samsung, видимо, продолжаются проблемы с HBM. Компания до сих пор не смогла квалифицировать свои HBM3E для использования в ускорителях NVIDIA H200 и Blackwell. Тем не менее, Samsung всё ещё занимает второе место среди контрактных производителей после TSMC, хотя Intel планирует оспорить эту позицию у южнокорейского конкурента в ближайшие годы. Предотвратить это, вероятно, поможет новый комплекс исследований и разработок.