Исследователи разработали термоэлектрический материал на основе теллурида висмута (Bi-Te) с искусственными дефектами атомного масштаба и предложили решение для улучшения его свойств. Это полупроводниковая технология, используемая в термоэлектрических генераторах для утилизации отработанного тепла при температуре ниже 200 ℃.
До сих пор исследования были сосредоточены на улучшении свойств материалов p-типа. Термоэлектрические полупроводники n-типа с селеном (Se) улучшали свои свойства медленно из-за сложности контроля состава и микроструктуры.
Исследовательская группа совершила прорыв в улучшении свойств термоэлектрических полупроводников n-типа. Ключом к успеху стал новый легирующий материал и производственный процесс. Исследование опубликовано в журнале ACS Applied Materials & Interfaces.