SK Hynix представила память HBM3 — самая быстрая память DRAM в истории со скоростью почти 1 ТБ/с

@SHIP

Обзор умных часов Amazfit GTR 3 Pro: стильный корпус и оптимальный набор функций

Кроме того, это первый рабочий вариант памяти HBM3, следующее поколение после HBM2E, массовое производство которой началось летом 2020 года. 

Пропускная способность памяти SK Hynix HBM3 равна 819 ГБ/с, что почти на 80% быстрее, чем у HBM2E. В теории, если процессор соединен с 4 модулями такой памяти 4096-разрядной шиной, то общая пропускная способность превысит 3 ТБ/с. 

По словам производителя, стеки HBM3 будут доступны 2 версиях: на 16 или 24 ГБ (рекорд в отрасли). Микросхема памяти имеет высоту 30 мкм (тоньше бумаги). 

К сожалению, информации о том, когда память HBM3 начнут использовать массово в технике, нет. Но ожидать ее появления в серийных устройствах совершенно точно не стоит в этом году. И, возможно, даже следующем. Ставим на 2023 год. 

Из других интересных новостей: стартовали поставки ускорителей с многочиповыми GPU от AMD.

Источник: SK Hynix

Подписывайтесь на наш канал в Дзен, чтобы не пропустить самые интересные новости. 

    Анализ
    ×