Массовое производство памяти HBM шестого поколения начнется в 2023 году, 26 октября сообщает DigiTimes.
TSMC сообщила, что к 2023 году сможет начать производство новой с 12 стековой памяти по технологии CoWoS.
При этом в августе прошлого года компания уже продемонстрировала HBM память с 8 слоями.
Напомним, память HBM отличатся от классической памяти GDDR5, сложной пространственной компоновкой, которая имеет более высокую пропускную способность и более низкое напряжение.
В настоящий момент на базе памяти HBM построенные ряд моделей карт NVIDIA, таких как Quadro GP100, Tesla V100, NVIDIA Titan V.